Latvia

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W GeneSiC SEMICONDUCTOR

Produkta nr.: G3R40MT12K
no gallery
no gallery
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
41.87
3-9
37.68
10-29
33.33
30-119
29.83
120+
27.91
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

41.87
2024-05-20 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-20 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir331 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W GeneSiC SEMICONDUCTOR

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-2246893
NomNr
G3R40MT12K

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
G3R40MT12K
Supplier's product code
G3R40MT12K
Product ID
U-2246893
Case
TO247-4
Drain current
50A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
106nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
40mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
333W
Pulsed drain current
140A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].