Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 161A; 362W MICROCHIP TECHNOLOGY
Номер продукта: MSC031SMC120B4N
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 161A; 362W MICROCHIP TECHNOLOGY
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 161A; 362W
Параметры товара поставщика
Product code
MSC031SMC120B4N
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
MSC031SMC120B4N
Product ID
U-4780196
Case
TO247-4-notch
Drain current
51A
Drain-source voltage
1.2kV
Family
SMC
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
70nC
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Mounting
THT
On-state resistance
42mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
362W
Pulsed drain current
161A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].