Russian

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW MICROCHIP (MICROSEMI)

Номер продукта: APT38F80B2
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
35.07
3-9
34.38
10+
33.49
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

35.07
2024-05-17 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-17 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно22 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW MICROCHIP (MICROSEMI)

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1905833
Марка
NomNr
APT38F80B2

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Case
TO247MAX
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT38F80B2
Product ID
U-1905833
Drain current
26A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
260nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
0.24Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.04kW
Pulsed drain current
150A
Technology
POWER MOS 8®
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
APT38F80B2
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].