Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW MICROCHIP (MICROSEMI)
Produkta nr.: APT38F80B2
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-17 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 22 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Case
TO247MAX
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT38F80B2
Product ID
U-1905833
Drain current
26A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
260nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
0.24Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.04kW
Pulsed drain current
150A
Technology
POWER MOS 8®
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
APT38F80B2
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
