💼 [email protected] Для бизнеса – выгодно!
💼 [email protected] Для бизнеса – выгодно!

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB VISHAY

Номер продукта: SIHP100N60E-GE3
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB VISHAY

Спецификации

Артикул
U-3046040
Марка
NomNr
SIHP100N60E-GE3

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB

Параметры товара поставщика

Product code
SIHP100N60E-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHP100N60E-GE3
Product ID
U-3046040
Case
TO220AB
Drain current
19A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
50nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
208W
Pulsed drain current
73A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].