Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W VISHAY
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Параметры товара поставщика
Product code
SIRA28BDP-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIRA28BDP-T1-GE3
Product ID
U-3046112
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
30A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
14nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
12mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
11W
Pulsed drain current
90A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].