Russian

Transistor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264 MICROCHIP (MICROSEMI)

Номер продукта: APT80GA90LD40
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
36.57
3-9
32.91
10+
29.08
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

36.57
2024-05-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264 MICROCHIP (MICROSEMI)

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1869453
Марка
NomNr
APT80GA90LD40

Описание товара от поставщика

Transistor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
APT80GA90LD40
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT80GA90LD40
Product ID
U-1869453
Case
TO264
Collector current
80A
Collector-emitter voltage
900V
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
200nC
Gate-emitter voltage
±30V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
625W
Pulsed collector current
239A
Technology
POWER MOS 8®
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
320ns
Turn-on time
49ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].