Russian

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 70A; 2.1W; TO252 DIODES INCORPORATED

Номер продукта: DMN4026SK3-13
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-4
1.18
5-24
0.50
25-99
0.45
100-499
0.40
500+
0.36
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

1.18
2024-05-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 70A; 2.1W; TO252 DIODES INCORPORATED

Спецификации

Артикул
U-2876192
NomNr
DMN4026SK3-13

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 70A; 2.1W; TO252

Параметры товара поставщика

NomNr
DMN4026SK3-13
Supplier's product code
DMN4026SK3-13
Product ID
U-2876192
Case
TO252
Drain current
18A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
21.3nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
32mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.1W
Pulsed drain current
70A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].