Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16A; Idm: 40A VISHAY
Номер продукта: SISH892BDN-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16A; Idm: 40A
Параметры товара поставщика
Product code
SISH892BDN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SISH892BDN-T1-GE3
Product ID
U-3046205
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
16A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
26.5nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
34.7mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
18.6W
Pulsed drain current
40A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
