Latvia

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W INFINEON TECHNOLOGIES

Produkta nr.: IPB120N06S402
no gallery
no gallery
INFINEON
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
3.15
5-24
2.84
25-99
2.52
100+
2.25
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

3.15
2024-05-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

INFINEON
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W INFINEON TECHNOLOGIES

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-216752
Zīmols
NomNr
IPB120N06S402

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
IPB120N06S402
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPB120N06S402
Product ID
U-216752
Case
PG-TO263-3
Drain current
120A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
150nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
2.4mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
188W
Technology
OptiMOS™ T2
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].