Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8 VISHAY

Produkta nr.: SQJ158EP-T1-GE3
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
1.31
5-24
0.90
25-99
0.80
100-499
0.72
500+
0.67
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.31
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8 VISHAY

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-336422
Zīmols
NomNr
SQJ158EP-T1-GE3

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
SQJ158EP-T1-GE3
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
13A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
17nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
33mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
45W
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SQJ158EP-T1-GE3
Product ID
U-336422
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].