Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 400A; 187W; TO220AB DIODES INCORPORATED

Produkta nr.: DMTH10H005SCT
no gallery
no gallery

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
3.43
3-9
3.09
10-49
2.73
50+
2.45
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

3.43
2024-05-03 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-03 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 400A; 187W; TO220AB DIODES INCORPORATED

Specifikācijas

Artikuls
U-2467551
NomNr
DMTH10H005SCT

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 400A; 187W; TO220AB

Piegādātāja preces parametri

NomNr
DMTH10H005SCT
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMTH10H005SCT
Product ID
U-2467551
Case
TO220AB
Drain current
99A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
111.7nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
THT
On-state resistance
3.8mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
187W
Pulsed drain current
400A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].