Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A SHINDENGEN
Produkta nr.: P4F60HP2-5600
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-27 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 500 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A SHINDENGEN
Noderīga informācija
Specifikācijas
Artikuls
U-1937102
NomNr
P4F60HP2-5600
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
P4F60HP2-5600
Supplier's product code
P4F60HP2-5600
Product ID
U-1937102
Case
FTO-220AG (SC91)
Drain current
4A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
12.5nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
bulk
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
THT
On-state resistance
1.8Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
62.5W
Pulsed drain current
16A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
