Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W STMicroelectronics
Produkta nr.: SCTWA20N120
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 1 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W STMicroelectronics
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
SCTWA20N120
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
SCTWA20N120
Product ID
U-1919565
Case
HIP247™
Drain current
16A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
45nC
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
0.22Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
175W
Pulsed drain current
45A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
