Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W SMC DIODE SOLUTIONS
Produkta nr.: S2M0080120D-SMC
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 25 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W SMC DIODE SOLUTIONS
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
S2M0080120D-SMC
Brand
SMC DIODE SOLUTIONS
Supplier's product code
S2M0080120D-SMC
Product ID
U-2957763
Case
TO247-3
Drain current
29A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
54nC
Gate-source voltage
-10...25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
SMC DIODE SOLUTIONS
Mounting
THT
On-state resistance
137mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
231W
Pulsed drain current
82A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
