Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W LUGUANG ELECTRONIC
Produkta nr.: LGE3M50120B
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-20 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W LUGUANG ELECTRONIC
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
LGE3M50120B
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
Supplier's product code
LGE3M50120B
Product ID
U-3873583
Case
TO247-3
Drain current
43A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
0.12µC
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
THT
On-state resistance
80mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
327W
Pulsed drain current
145A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
