Latvia

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263 IXYS

Produkta nr.: IXFA4N100P
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
4.54
3-9
4.00
10-49
3.61
50+
3.37
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

4.54
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263 IXYS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-220464
Zīmols
NomNr
IXFA4N100P

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
IXFA4N100P
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXFA4N100P
Product ID
U-220464
Case
TO263
Drain current
4A
Drain-source voltage
1kV
Gate charge
26nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Polarisation
unipolar
Power dissipation
150W
Technology
HiPerFET™
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].