Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.5A; 1W; DIP4 VISHAY

Produkta nr.: IRFD220PBF
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
1.38
5-24
0.88
25-99
0.77
100-499
0.70
500+
0.65
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.38
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir1136 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.5A; 1W; DIP4 VISHAY

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-218143
Zīmols
NomNr
IRFD220PBF

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.5A; 1W; DIP4

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
IRFD220PBF
Brand
VISHAY
Supplier's product code
IRFD220PBF
Product ID
U-218143
Case
DIP4
Drain current
0.5A
Drain-source voltage
200V
Gate charge
14nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.8Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1W
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].