Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 266A; 117W NEXPERIA

Produkta nr.: PSMN011-80YS.115
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
1.91
5-24
1.68
25-99
1.50
100-499
1.37
500+
1.24
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.91
2024-05-03 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-03 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 266A; 117W NEXPERIA

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-2206772
Zīmols
NomNr
PSMN011-80YS.115

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 266A; 117W

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
PSMN011-80YS.115
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
PSMN011-80YS.115
Product ID
U-2206772
Case
SOT669
Drain current
47A
Drain-source voltage
80V
Gate charge
45nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
11mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
117W
Pulsed drain current
266A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].