Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A VISHAY
Produkta nr.: SIDR608DP-T1-RE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A
Piegādātāja preces parametri
NomNr
SIDR608DP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIDR608DP-T1-RE3
Product ID
U-3116356
Drain current
208A
Drain-source voltage
45V
Gate charge
167nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.8mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
104W
Pulsed drain current
400A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
