Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 35W; TO220FP VISHAY

Produkta nr.: SIHA21N65EF-E3
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
7.79
5-24
7.01
25-99
6.19
100-499
5.57
500+
5.19
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

7.79
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 35W; TO220FP VISHAY

Specifikācijas

Artikuls
U-3045790
Zīmols
NomNr
SIHA21N65EF-E3

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 35W; TO220FP

Piegādātāja preces parametri

NomNr
SIHA21N65EF-E3
Case
TO220FP
Drain current
13A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
106nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.18Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
35W
Pulsed drain current
53A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHA21N65EF-E3
Product ID
U-3045790
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].