Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 1.25W; TSMT6 ROHM SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: QS6K1FRATR
Piegādes termiņi
2024-05-02 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 1.25W; TSMT6
Piegādātāja preces parametri
Product code
QS6K1FRATR
Case
TSMT6
Drain current
1A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
1.7nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
364mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.25W
Pulsed drain current
4A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
QS6K1FRATR
Product ID
U-2966088
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
