Latvia

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12 ONSEMI

Produkta nr.: FDMD82100
no gallery
no gallery
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
5.36
5-24
4.82
25-99
4.26
100-499
3.82
500+
3.56
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

5.36
2024-05-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12 ONSEMI

Specifikācijas

Artikuls
U-2721369
NomNr
FDMD82100

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12

Piegādātāja preces parametri

Product code
FDMD82100
Supplier's product code
FDMD82100
Product ID
U-2721369
Case
PQFN12
Drain current
25A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
17nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.1W
Pulsed drain current
80A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].