Latvia

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -30A NEXPERIA

Produkta nr.: PMPB19XP.115
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-24
0.41
25-99
0.37
100-499
0.33
500-2999
0.29
3000+
0.27
B2B

Min. daudzums: 3

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.23
2024-05-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -30A NEXPERIA

Specifikācijas

Artikuls
U-2734384
Zīmols
NomNr
PMPB19XP.115

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -30A

Piegādātāja preces parametri

NomNr
PMPB19XP.115
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
PMPB19XP.115
Product ID
U-2734384
Case
DFN2020MD-6
Drain current
-4.5A
Drain-source voltage
-20V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
43.2nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
33mΩ
Polarisation
unipolar
Pulsed drain current
-30A
Technology
Trench
Type of transistor
P-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].