Latvia

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4 VISHAY

Produkta nr.: IRFD9210PBF
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
1.36
5-24
0.86
25-99
0.77
100-499
0.68
500+
0.61
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.36
2024-05-03 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-03 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir2204 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4 VISHAY

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-218150
Zīmols
NomNr
IRFD9210PBF

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
IRFD9210PBF
Case
DIP4
Drain current
-250mA
Drain-source voltage
-200V
Gate charge
8.9nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1W
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
IRFD9210PBF
Product ID
U-218150
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].