Russian

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W SMC DIODE SOLUTIONS

Номер продукта: S2M0080120D-SMC
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
21.04
3-9
19.05
10-24
16.76
25+
15.08
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

21.04
2024-05-13 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-13 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно25 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W SMC DIODE SOLUTIONS

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-2957763
NomNr
S2M0080120D-SMC

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

NomNr
S2M0080120D-SMC
Brand
SMC DIODE SOLUTIONS
Supplier's product code
S2M0080120D-SMC
Product ID
U-2957763
Case
TO247-3
Drain current
29A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
54nC
Gate-source voltage
-10...25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
SMC DIODE SOLUTIONS
Mounting
THT
On-state resistance
137mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
231W
Pulsed drain current
82A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].