Russian

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W INFINEON TECHNOLOGIES

Номер продукта: IMZ120R030M1HXKSA1
no gallery
no gallery
INFINEON
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
59.30
3-9
53.25
10-29
47.04
30+
42.31
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

59.30
2024-05-30 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-30 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно28 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

INFINEON
Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W INFINEON TECHNOLOGIES

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1876353
Марка
NomNr
IMZ120R030M1HXKSA1

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
IMZ120R030M1HXKSA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IMZ120R030M1HXKSA1
Product ID
U-1876353
Case
TO247-4
Drain current
45A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate-source voltage
-7...23V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
57mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
114W
Pulsed drain current
150A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].