LEMONA

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO220AB; 400ns IXYS

Produkta nr.: IXTP1R6N50D2
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
3.66
3-9
3.27
10-49
2.91
50-249
2.61
250+
2.42
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

3.66
2024-06-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-06-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir161 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO220AB; 400ns IXYS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-221682
Zīmols
NomNr
IXTP1R6N50D2

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO220AB; 400ns

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
IXTP1R6N50D2
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXTP1R6N50D2
Product ID
U-221682
Case
TO220AB
Drain current
1.6A
Drain-source voltage
500V
Gate charge
23.7nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
depleted
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
THT
On-state resistance
2.3Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
100W
Reverse recovery time
400ns
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].