LEMONA

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 109A; Idm: 150A VISHAY

Produkta nr.: SIJA58DP-T1-GE3
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Atvainojamies, bet šīs preces vairs nav.

Mēs iesakām izvēlēties:

Citas preces šajā kategorijā

Piegādes termiņi

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 109A; Idm: 150A VISHAY

Specifikācijas

Artikuls
U-3116404
Zīmols
NomNr
SIJA58DP-T1-GE3

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 109A; Idm: 150A

Piegādātāja preces parametri

Product code
SIJA58DP-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIJA58DP-T1-GE3
Product ID
U-3116404
Drain current
109A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
75nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
3.6mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
56.8W
Pulsed drain current
150A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].