Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W IXYS
Produkta nr.: MMIX1T550N055T2
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 20 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
MMIX1T550N055T2
Case
SMPD
Drain current
550A
Drain-source voltage
55V
Gate charge
595nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
1.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
830W
Pulsed drain current
2kA
Reverse recovery time
100ns
Technology
GigaMOS™
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
IXYS
Supplier's product code
MMIX1T550N055T2
Product ID
U-261744
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
