Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 VISHAY

Produkta nr.: IRLD120PBF
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
1.28
5-24
0.73
25-99
0.66
100-499
0.59
500+
0.55
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.28
2024-05-29 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-29 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir573 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 VISHAY

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-218800
Zīmols
NomNr
IRLD120PBF

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
IRLD120PBF
Brand
VISHAY
Supplier's product code
IRLD120PBF
Product ID
U-218800
Case
DIP4
Drain current
0.94A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
12nC
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.38Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].