Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3 ONSEMI

Produkta nr.: FDN359AN
no gallery
no gallery

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-24
0.42
25-99
0.38
100-499
0.34
500-2999
0.30
3000+
0.28
B2B

Min. daudzums: 5

Daudzkārtīgums: 5

Kopā:

2.10
2024-05-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir35 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3 ONSEMI

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-187013
NomNr
FDN359AN

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
FDN359AN
Product ID
U-187013
Case
SuperSOT-3
Drain current
2.7A
Drain-source voltage
30V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate charge
7nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
75mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.5W
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDN359AN
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].