Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 1A; 1.6W; SOT89-3 MICROCHIP TECHNOLOGY

Produkta nr.: TN2435N8-G
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
2.27
3-9
2.04
10-99
1.72
100+
1.58
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

2.27
2024-05-03 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-03 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 1A; 1.6W; SOT89-3 MICROCHIP TECHNOLOGY

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-358338
Zīmols
NomNr
TN2435N8-G

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 1A; 1.6W; SOT89-3

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
TN2435N8-G
Product ID
U-358338
Case
SOT89-3
Drain-source voltage
350V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.6W
Pulsed drain current
1A
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
TN2435N8-G
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].