Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP VISHAY
Produkta nr.: SIHF12N65E-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-29 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Piegādātāja preces parametri
NomNr
SIHF12N65E-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHF12N65E-GE3
Product ID
U-3045856
Case
TO220FP
Drain current
8A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
70nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.38Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
33W
Pulsed drain current
28A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
