LEMONA

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W WAYON

Produkta nr.: WMJ90N60F2-CYG
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
19.59
3-9
15.67
10-29
11.74
30-119
10.57
120+
9.78
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

19.59
2024-06-04 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-06-04 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir30 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W WAYON

Specifikācijas

Artikuls
U-3047668
Zīmols
NomNr
WMJ90N60F2-CYG

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W

Piegādātāja preces parametri

NomNr
WMJ90N60F2-CYG
Brand
WAYON
Supplier's product code
WMJ90N60F2-CYG
Product ID
U-3047668
Case
TO247-3
Drain current
50A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
142nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
WAYON
Mounting
THT
On-state resistance
33mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
430W
Pulsed drain current
295A
Technology
WMOS™ F2
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].