Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A INFINEON TECHNOLOGIES
Produkta nr.: FP06R12W1T4B3
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Piegādes termiņi
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS. Pasūtījumi tiek glabāti LEMONA electronics pasta automātos 5 dienas.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A INFINEON TECHNOLOGIES
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
FP06R12W1T4B3
Supplier's product code
FP06R12W1T4B3
Product ID
U-191345
Case
AG-EASY1B-1
Collector current
6A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
94W
Pulsed collector current
12A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Brand
INFINEON
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].