Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A INFINEON TECHNOLOGIES
Produkta nr.: FP10R12W1T7B11
Piegādes termiņi
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A INFINEON TECHNOLOGIES
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
FP10R12W1T7B11
Supplier's product code
FP10R12W1T7B11
Product ID
U-191361
Case
AG-EASY1B-2
Collector current
10A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
20A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Brand
INFINEON
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].