Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A INFINEON TECHNOLOGIES
Produkta nr.: FP15R12W1T4B3
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Piegādes termiņi
2026-08-27 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 16 gab. | Piegādātāju noliktava |
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A INFINEON TECHNOLOGIES
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
FP15R12W1T4B3
Supplier's product code
FP15R12W1T4B3
Product ID
U-191383
Case
AG-EASY1B-1
Collector current
15A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
130W
Pulsed collector current
30A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Brand
INFINEON
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].