Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: GD30PJX65F1S
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Specifikācijas
Artikuls
U-4889741
NomNr
GD30PJX65F1S
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Piegādātāja preces parametri
Product code
GD30PJX65F1S
Case
F1.1
Collector current
30A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
650V
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
60A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Trench FS IGBT
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
GD30PJX65F1S
Product ID
U-4889741
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].