LEMONA

Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV IXYS

Produkta nr.: IXA20PG1200DHGLB
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
13.8513.85
3-9
12.15
10+
11.80
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

13.85
2026-04-24 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2026-04-24 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir28 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

Vairāk par 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,49 - 3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV IXYS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-220230
Zīmols
NomNr
IXA20PG1200DHGLB

Piegādātāja prece apraksts

Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
IXA20PG1200DHGLB
Case
SMPD-B
Collector current
23A
Electrical mounting
SMT
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Power dissipation
130W
Pulsed collector current
45A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
ISOPLUS™
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
IGBT half-bridge
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXA20PG1200DHGLB
Product ID
U-220230
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].