Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 4A SEMIKRON DANFOSS
Produkta nr.: SKIIP02NAC12T4V1
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,49 - 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 4A SEMIKRON DANFOSS
Noderīga informācija
Specifikācijas
Artikuls
U-3122350
NomNr
SKIIP02NAC12T4V1
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 4A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
SKIIP02NAC12T4V1
Application
for UPS
Case
MiniSKiiP® 0
Collector current
4A
Electrical mounting
Press-Fit
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
SEMIKRON DANFOSS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
12A
Semiconductor structure
diode/transistor
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
SKIIP02NAC12T4V1
Product ID
U-3122350
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].