LEMONA

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B IXYS

Produkta nr.: IXBN42N170A
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
€70.65€70.65
3-9
€63.50
10+
€59.15
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

€70.65
2026-09-17 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2026-09-17 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasÅ«tÄ«ta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs Å”o preci nevarēs piegādāt lÄ«dz norādÄ«tajam datumam, informēsim JÅ«s e-pastā..

Ir4 gab.

Piegādātāju noliktava

Lemona terminal

Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, RÄ«ga

Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, RÄ«ga Bezmaksas

Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS. Pasūtījumi tiek glabāti LEMONA electronics pasta automātos 5 dienas.
home delivery

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Pēc preču nodoÅ”anas kurjeram mēs JÅ«s informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasÅ«tÄ«jumiem virs 50 EUR.

Vairāk par 50,00 ā‚¬

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

LÄ«dz 50,00 ā‚¬

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 ā‚¬

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodoÅ”anas kurjeram mēs JÅ«s informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasÅ«tÄ«jumiem virs 50 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B IXYS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-220275
Zīmols
NomNr
IXBN42N170A

Piegādātāja prece apraksts

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
IXBN42N170A
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXBN42N170A
Product ID
U-220275
Case
SOT227B
Collector current
21A
Electrical mounting
screw
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.7kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
313W
Pulsed collector current
265A
Semiconductor structure
single transistor
Technology
BiMOSFETā„¢
Type of semiconductor module
IGBT
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atŔķirties no paÅ”a produkta. Ja pamanÄ«jāt nesakritÄ«bas lÅ«dzam ziņot mums rakstot uz [email protected].