LEMONA

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B IXYS

Produkta nr.: IXBN75N170
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
185.05185.05
3-9
166.25
10+
155.15
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

185.05
2026-06-04 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2026-06-04 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir1 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

Vairāk par 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B IXYS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-220276
Zīmols
NomNr
IXBN75N170

Piegādātāja prece apraksts

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
IXBN75N170
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXBN75N170
Product ID
U-220276
Case
SOT227B
Collector current
75A
Electrical mounting
screw
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.7kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
625W
Pulsed collector current
680A
Semiconductor structure
single transistor
Technology
BiMOSFET™
Type of semiconductor module
IGBT
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].