Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: GD10PJX65L2S
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50
Preces apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Specifikācijas
Artikuls
U-2964919
NomNr
GD10PJX65L2S
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Piegādātāja preces parametri
Product code
GD10PJX65L2S
Supplier's product code
GD10PJX65L2S
Product ID
U-2964919
Case
L2.5
Collector current
10A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
650V
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
20A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Trench FS IGBT
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].