Piegādes termiņi
2026-07-30 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
Piegādātāju noliktava |
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Specifikācijas
Artikuls
U-2964930
NomNr
GD35PJY120L3S
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Piegādātāja preces parametri
Supplier's product code
GD35PJY120L3S
Product ID
U-2964930
Case
L3.0
Collector current
35A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
70A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Advanced Trench FS IGBT
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Product code
GD35PJY120L3S
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].