Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W MICROCHIP TECHNOLOGY
Produkta nr.: APTM120DA30CT1G
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W MICROCHIP TECHNOLOGY
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W
Piegādātāja preces parametri
Product code
APTM120DA30CT1G
Case
SP1
Drain current
23A
Drain-source voltage
1.2kV
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-source voltage
±30V
Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
0.36Ω
Power dissipation
657W
Pulsed drain current
195A
Semiconductor structure
SiC diode/transistor
Technology
SiC
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Topology
NTC thermistor
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APTM120DA30CT1G
Product ID
U-5104003
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].