LEMONA

Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 584A; D3; Idm: 1400A; 2.97kW MICROCHIP TECHNOLOGY

Produkta nr.: MSCSM120AM027CD3AG
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Atvainojamies, bet šīs preces vairs nav.

Mēs iesakām izvēlēties:

Citas preces šajā kategorijā

Piegādes termiņi

Lemona terminal

Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga

Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas

Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS. Pasūtījumi tiek glabāti LEMONA electronics pasta automātos 5 dienas.
home delivery

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

Vairāk par 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 584A; D3; Idm: 1400A; 2.97kW MICROCHIP TECHNOLOGY

Specifikācijas

Artikuls
U-5110066
Zīmols
NomNr
MSCSM120AM027CD3AG

Piegādātāja prece apraksts

Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 584A; D3; Idm: 1400A; 2.97kW

Piegādātāja preces parametri

Product code
MSCSM120AM027CD3AG
Supplier's product code
MSCSM120AM027CD3AG
Product ID
U-5110066
Case
D3
Drain current
584A
Drain-source voltage
1.2kV
Electrical mounting
screw
Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
3.5mΩ
Power dissipation
2.97kW
Pulsed drain current
1400A
Semiconductor structure
SiC diode/transistor
Technology
SiC
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Topology
MOSFET half-bridge + parrallel diodes
Brand
MICROCHIP
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].