Module; single transistor; 40V; 600A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA IXYS
Produkta nr.: IXTN600N04T2
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Atlikums noliktavā
 Nav | Rīgas Krasta veikals |
| Nav | Centrālā noliktava LEZ |
| Nav | Citas LEMONA noliktavas |
Piegādes termiņi
Saņemšana Lemona veikalā - Krasta 105, Rīgā
Saņemšana Lemona veikalā - Krasta 105, Rīgā Bez maksas
Pasūtījumi tiek apstrādāti un atlasīti darba dienās no pulksten 8:00 līdz 17:00. Kad pasūtījums būs gatavs saņemšanai, Jūs par to tiksiet informēti īsziņā. Pasūtījumi tiek saglabāti 7 dienas.
Atlikums noliktavā
| Nav | Rīgas Krasta veikals |
| Nav | Centrālā noliktava LEZ |
| Nav | Citas LEMONA noliktavas |
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS. Pasūtījumi tiek glabāti LEMONA electronics pasta automātos 5 dienas.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Module; single transistor; 40V; 600A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA IXYS
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Module; single transistor; 40V; 600A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
IXTN600N04T2
Supplier's product code
IXTN600N04T2
Product ID
U-221627
Case
SOT227B
Drain current
600A
Drain-source voltage
40V
Electrical mounting
screw
Gate charge
590nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
IXYS
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
1.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
940W
Pulsed drain current
1.8kA
Reverse recovery time
100ns
Semiconductor structure
single transistor
Technology
GigaMOS™
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Brand
IXYS
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].