Piegādes termiņi
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA ONSEMI
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
NCP5111DR2G
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NCP5111DR2G
Product ID
U-2417831
Case
SO8
Impulse rise time
160ns
Kind of integrated circuit
high-/low-side
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
Number of channels
2
Operating temperature
-40...125°C
Output current
-500...250mA
Protection
undervoltage UVP
Pulse fall time
75ns
Supply voltage
10...20V DC
Type of integrated circuit
driver
Topology
IGBT half-bridge
Voltage class
600V
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].