Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD INFINEON TECHNOLOGIES
Produkta nr.: IPD80R1K4P7
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Piegādes termiņi
2026-08-04 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 2446 gab. | Piegādātāju noliktava |
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD INFINEON TECHNOLOGIES
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
IPD80R1K4P7
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPD80R1K4P7
Product ID
U-216898
Case
PG-TO252-3
Drain current
2.7A
Drain-source voltage
800V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
1.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
32W
Technology
CoolMOS™
Type of transistor
N-MOSFET
Version
ESD
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].